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　　LED芯片技術的發展關鍵在于基底材料和晶圓生長技術。基底材料除了傳統的藍寶石材料、硅(Si)、碳化硅(SiC)以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當前研究的焦點。無論是重點照明和整體照明的大功率芯片，還是用于裝飾照明和一些簡單輔助照明的小功率芯片，技術提升的關鍵均圍繞如何研發出更高效率、更穩定的芯片。因此，提高LED芯片的效率成為提升LED照明整體技術指標的關鍵。近些年，借助芯片結構、表面粗化、多量子阱結構設計等一系列技術的改進，LED在發光效率方面獲得重大突破。隨著該技術的不斷成熟，LED量子效率將會得到進一步的提高，未來LED芯片的發光效率也會隨之攀升。

　　封裝技術

　　在LED產業結構中，封裝和應用位于產業鏈中下游，完成將LED產品由芯片向管芯(Diode)及器件轉變并**終實現照明應用產品，是LED產品作為半導體照明光源真正進入市場并取代傳統照明光源的直接環節。LED封裝技術借鑒了分立器件封裝技術，并有很大的特殊性，即除了常規的電氣互連和機械性保護以確保管芯正常工作的同時，更強調光學、熱學方面的設計創新和技術要求。熱學、光學、電學方面的技術進步必然要求具有更優良熱學性能、光學性能以及電學性能的高性能、新型封裝材料的出現。而作為具體的應用方案，也要求人們提出更好、更優、更具有創新精神的新的封裝格式。可以說LED封裝技術的進步，必須綜合考慮相關領域材料特性、結構性能以及彼此影響，是材料學、電學、光學、熱學的交叉領域研究課題。

　　目前在封裝技術中用得較多的是單顆芯片封裝和多芯片整合組件封裝兩種形式，并有正面出光封裝、倒裝LED、垂直結構LED封裝等多種方案，三維封裝的思路和概念也被提出。

　　單顆芯片封裝是封裝技術中應用**多的，其主要的技術瓶頸在于芯片的良率、色溫的控制及熒光粉的涂敷技術等。多芯片整合組件是目前大功率LED組件**常見的另一種封裝形式，可區分為小功率和大功率芯片整合組件兩類，前者以六顆低功率芯片整合的1瓦大功率LED組件**典型，此類組件的優勢在于成本較低，是目前不少大功率組件的主要制作途徑。大功率芯片通過優化設計，可使**終產品的熱阻控制在每瓦3.1℃，同時可以驅動高達15瓦的高功率。該封裝的優勢在于在很小的空間內達到很高的光通量。

　　隨著LED芯片的功率密度越來越大，多芯片、大功率封裝需求會進一步增加。

　　模組技術

　　模組技術包括了LED光源、光源的排列組合以及驅動電源等。因LED正向工作時，LED正向電壓相對變化區域很小，為保證LED驅動電流的恒定也就是確保LED輸出功率的恒定。另外，調光設計也是目前驅動電路的主流設計之一，這在一些情景照明中應用較多，根據不同環境調配不同亮度，充分達到節能效果。目前驅動器的主要設計方向圍繞在提高電源功率因子、降低耗電量、提高控制精度及加快響應速度為主。除了驅動電源的設計之外，PCB布線及串并聯方式也是設計考慮。在實際應用中，LED模組在結構方面和電子方面也存在很大的差異。

　　“芯片、器件、封裝與模組技術”分會將對以上各研究方向進行充分討論，并尋求解決方案。